先进电子材料与器件平台

百科 2022-03-04
先进电子材料与器件平台

先进电子材料与器件平台

先进电子材料与器件平台(AEMD)创建于2012年,是为上海交通大学科研工作提供服务的大型仪器设备校级共享平台,具备10nm至微米级微纳器件与图形的加工与测试能。AEMD平台在学校各级领导的大力支持下,成为相关学科依託发展的重要支撑力,同时也为科研工作提供完善的保障。

AEMD平台也向社会相关科研机构与企业公开开放,提供相关项目合作与微纳加工服务

基本介绍

  • 中文名:先进电子材料与器件平台
  • 外文名:Center for Advanced Electronic Materials and Devices

平台简介

先进电子材料与器件平台(AEMD)创建于2012年,是为全校科研工作提供服务的大型仪器设备校级共享平台,具备10nm至微米级微纳器件与图形的加工与测试能力。AEMD平台在学校各级领导的大力支持下,成为相关学科依託发展的重要支撑力,同时也为科研工作提供完善的保障。
AEMD平台分别座落于交大闵行校区微电子大楼一层(西区)以及综合实验楼一层(东区),实验室共有近1510m的100级、1000级净化室,其中100级210 m,1000级约1300m。除此之外,平台还拥用近250m非净化测试加工区。
平台建设有一条能对硅、玻璃和有机材料进行微纳米加工的3~6英寸半导体级实验线(西区实验室)以及一条3~4英寸非硅/MEMS微纳加工实验线(东区实验室),部分设备可实现8英寸基片加工。平台拥有电子束曝光系统、双束聚焦离子束系统、双面对準紫外光刻机(3台)、热压/紫外纳米压印系统、涂胶显影系统(3套)、微波去胶机(3台)、氧化扩散炉(5管,2套)、多晶硅/氮化硅LPCVD炉(2管)、快速热处理设备、湿法清洗刻蚀台(12台套)、多靶磁控溅射系统(4台套)、超高真空磁控溅射系统、电子束蒸发设备(2套)、离子束溅射机、离子束刻蚀机、等离子增强化学气相沉积设备、金属反应离子刻蚀设备、介质反应离子刻蚀设备、深硅刻蚀系统(2套)、微电铸/电镀系统、OLED器件实验製备系统、基片抛磨设备、砂轮切片系统、场发射扫描电镜、原子力显微镜、半导体参数测试仪(2套)、霍尔效应仪、四探针测试仪、表面轮廓仪(3台)、紫外膜厚仪等先进的微纳加工与测试设备,具备10nm至微米级微纳器件与图形的加工与测试能力。
AEMD平台的创建提高了我校大型仪器的利用水平,并为跨学科的交叉研究、国内外的合作提供了平台,也为高层次的人才培养提供了良好的实验基地;平台也向社会相关科研机构与企业公开开放,提供相关项目合作与微纳加工服务。
About Center for Advanced Electronic Materials and Devices (AEMD)
Center for Advanced Electronic Materials and Devices (AEMD) of Shanghai Jiao Tong University was invested by the ‘985 Project’ of Ministry of Education. The center intends to build university-level micro-nano fabrication and testing platform and perform the state of art research on semiconductor materials and devices, optoelectronic materials and devices, MEMS technologies, and IC chip packaging technologies. It is also opened to the research groups outside the university.

VistecEBPG-5200电子束光刻系统

Vistec EBPG-5200Electron-beam lithography system
主要技术指标/Specifications:
1. 最大加速电压:100KV
Accelerating voltage: 100KV
2. 最大扫描速度:50MHZ
Pattern generator frequency: 50MHz
3. 束流:0.1nA~100nA
Beam current:0.1nA~100nA
4. 最小束斑直径:≤3nm
Minimum beam spot size: ≤3nm
5. 电子束定址位DAC: 20bits主场,14bits子场
DAC addressing: 20bits main field, 14bits sub field
6. 最小实测线宽:≤8nm
Minimum measured line width:≤8nm
7. 最小重合/拼接精度:±12 nm
Minimum stitching/overlay accuracy: ±12 nm
8. 最大写场:1mm*1mm
Write filed: 1mm*1mm
9. 基片尺寸:支持8英寸基片及6英寸掩膜版,同时兼容3、4、5、6英寸硅片与4、5、6、7英寸掩膜版、以及破片的电子束加工,最大基片厚度0.675mm。
Substrate size: 2”,3”,4”,5”, 6”,8”, and pieces with max thickness 0.675 mm for wafers. Full range of multi piece part holders for different of material
Mask Holder: 3”,4”,5”, 6”, 7” (max. thickness: 0.09” for 5” mask holder, 0.25” for 6” mask holder)
主要用途/Application:
微纳器件加工中曝光纳米级结构图型,可用于各种纳米结构及器件、光刻掩膜版以及纳米压印模板等的加工.
Electron beam direct writing of nanometer-scale pattern or nano-devices. Application on fabrication of various nano-structure, devices, photo mask and nano-imprint template with high write speed and large write field.
Zeiss Auriga

场发射电子束/聚焦离子束双束系统

ZEISS Auriga SEM/FIB Crossbeam System
主要技术指标/Specifications:
电子束:Electron beam:
1、 解析度:≤1.0nm@15V,≤1.9nm@1KV
Resolution: ≤1.0nm@15V,≤1.9nm@1KV
2、 加速电压:0.1KV-30KV
Acceleration voltage: 0.1KV-30KV
3、 电子枪:热场发射电子枪
Election gun: thermal field emission type
离子束:Ion Beam:
1、 离子源种类:液态Ga离子源
Ion source type: liquid Ga+ source
2、 解析度:≤2.5nm@30kV
Resolution: ≤2.5nm@30kV
3、 加速电压:1kV-30kV
Acceleration voltage: 1kV-30kV
辅助功能/Assistant functions:
1、 Pt,W,C,SiO2,XeF2气体注入系统:可在离子束、电子束诱导下进行可控沉积及增强或选择性刻蚀;
Multi-gas injection system (GIS) for Pt, W, C,SiO2,XeF2: Controllable deposition and enhancing or selective etching can be performed by e-beam or ion beam inducing;
2、 牛津纳米机械手(含电学性能测试):透射电镜取样系统,可提取FIB切割后的微小样品,配合FIB对纳米材料进行搬运、操纵;
Oxford OmniprobeAutoprobe Model Nanomanipulators including advanced electrical test accessory:
Specimen preparation for transmission electron microscope;
3、 三维成像系统:可实现对样品的自动切割,自动拍照以及所有照片叠加后的三维重构;
Nano Tomography Wizard for software guided parameter setting and automated acquisition of 3D data stacks;
4、 微纳米加工系统:具备离子束沉积并加工複杂图形的软硬体系统;
Patterning of Complex nanostructures and high resolution imaging based on Zeiss nanoPatterning Engine: Package Containing all features of standard package plus enhancement for real-time review of patterning operations and end-pointing. Includes full ATLAS and ATLAS3D functionality;
5、 具有电子束流枪,可对绝缘体材料无干扰加工或刻蚀;
Electron Flood Gun for neutralization of positive charges (FIB milling).Insulating materials micro-processing can be performed;
6、 最大样品尺寸不大于150mm。极限真空:优于5×10ETorr。
Maximum sample size is not more than 150mm. Ultimate vacuum: prior to 5×105E-7Torr.
主要用途/Applications:
双束系统中场发射扫描电镜主要用于观察、分析和记录材料的微观形貌,聚焦离子束用来对样品进行在微纳米尺度下的图形沉积、切割、刻蚀、透射样品製备及原子探针针尖加工等工作。
In SEM/FIB crossbeam system, SEM is utilized in observation of surface morphologies, and FIB is used in the micro-processing including pattern deposition, slicing, milling, etching, TEM specimen preparation and probe fabrication, etc.

设备目录(详情介绍:http://aemd.sjtu.edu.cn)

光刻区

光刻设备
Vistec EBPG-5200+电子束光刻系统
SUSS MA 6双面对準光刻机
Princision Imprint PI-D01纳米压印机
热处理设备
SVS OV-12 HMDS 烘箱
旋涂设备
SUSS高性能涂胶机I
Laurell 650-8N高性能涂胶机
测试设备
Ocean Optics 可见光膜厚测量仪

薄膜I区

薄膜沉积设备
Denton电子束蒸发镀膜设备
Denton多靶磁控溅射镀膜系统
HARRICK等离子清洗机
微纳图形加工设备
Zeiss Auriga场发射电子束/聚焦离子束双束系统
测试设备
KLA-Tencor P7 台阶仪

薄膜II区

薄膜沉积设备
Oxford 电浆增强化学气相沉积系统
刻蚀设备
Sentech ICP反应离子刻蚀机(用于金属薄膜)
NMC ICP反应离子刻蚀机(用于介质薄膜)
SPTS反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-I)
NMC反应离子式深硅刻蚀系统(DRIE-II)
PVA-TePla微波等离子去胶机/表面处理机
测试设备
FSM薄膜应力测量仪
Ocean Optics紫外干涉膜厚仪

测试区

测试设备
Zeiss Ultra Plus场发射扫描电子显微镜
Bruker ICON原子力显微镜
Agilent BA1500半导体参数测试仪与MM探针台

氧化扩散区

氧化扩散设备
SVCS卧式低压化学气相沉积炉管
SVCS卧式氧化扩散炉管
测试设备
CDResMap四探针电阻率/方块电阻测试仪
先进电子材料与器件平台

2020-03-06 17:36:05